[发明专利]一种增加GaN Micro-LED颜色转换效率的方法在审
申请号: | 201910947276.3 | 申请日: | 2019-09-29 |
公开(公告)号: | CN110808315A | 公开(公告)日: | 2020-02-18 |
发明(设计)人: | 孙捷;杜在发;郭伟玲;李龙飞;熊访竹 | 申请(专利权)人: | 北京工业大学 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/50 |
代理公司: | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人: | 沈波 |
地址: | 100124 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种增加GaN Micro‑LED颜色转换效率的方法,在P型GaN表面刻孔至有源区,使用Ag纳米颗粒和发光量子点进行填充;该方法是将P型台面压印出一个个圆形孔洞图形并将其刻蚀至有源区,在孔洞内填充发光量子点的同时填充金属Ag量子点,实现金属Ag量子点与有源区进行共振,从而实现增加颜色转换效率的功能。本发明减少了有源区的能量损耗,同时金属量子点跟有源区的近距离接触,使得两者之间共振增加,有利于增加有源区的能量提取效率。将两者充分结合,GaN Micro‑LED使得颜色转换效率大大增加。 | ||
搜索关键词: | 一种 增加 gan micro led 颜色 转换 效率 方法 | ||
【主权项】:
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