[发明专利]半导体器件和形成半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201910948702.5 | 申请日： | 2019-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN111009499B | 公开（公告）日： | 2023-09-12 |
| 发明（设计）人： | S·拜尔;M·A·博代亚;黄佳艺 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 张亚峰 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种半导体器件。半导体器件可以包括半导体衬底，该半导体衬底包括有源区域，在有源区域上方的金属层结构，其中，金属层结构被配置为形成电触点，该金属层结构包括焊接区域、缓冲区域及焊接区域和缓冲区域之间的阻挡区域，其中，在阻挡区域中，金属层结构比在焊接区域和缓冲区域中更远离有源区域，并且其中，焊接区域和缓冲区域中的每个与有源区域直接接触或者与在有源区域和金属层结构之间布置的布线层结构直接接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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