[发明专利]一种锑基杂化半导体材料及其合成与应用在审
| 申请号： | 201910948966.0 | 申请日： | 2019-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN110590646A | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 刘广宁;赵若愚;牛鹏飞;韦天慧;张洁;李村成 | 申请（专利权）人： | 济南大学 |
| 主分类号： | C07D213/18 | 分类号： | C07D213/18;H01L51/42 |
| 代理公司： | 37240 济南誉丰专利代理事务所(普通合伙企业) | 代理人： | 赵凤 |
| 地址： | 250022 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种基于库仑相互作用力的非铅杂化半导体材料及其合成与光电应用。本发明的目的在于以库仑作用为主要作用力构筑一种锑基无机‑有机杂化钙钛矿型半导体材料，拓宽杂化半导体材料的构筑策略。通过选择氯化锑和苯基吡啶为反应原料，在溶剂热条件下一步反应获得杂化物(3‑phenylpyridin‑1‑ium)SbI | ||
| 搜索关键词： | 半导体材料 杂化物 杂化 合成 库仑相互作用力 导电性 半导体性能 溶剂热条件 无机阴离子 有机阳离子 可见光 苯基吡啶 反应原料 钙钛矿型 光电应用 光电转换 晶态产物 库仑作用 一步反应 有机杂化 共价键 光电导 光探测 可见区 氯化锑 循环性 构筑 非铅 氢键 锑基 照射 响应 应用 表现 | ||
【主权项】：
1.一种锑基无机-有机杂化半导体材料(3-phenylpyridin-1-ium)SbI
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