[发明专利]单层电容性图像传感器在审
| 申请号： | 201910949325.7 | 申请日： | 2019-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN111007965A | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | D.霍克;A.L.施瓦茨;J.K.雷诺 | 申请（专利权）人： | 辛纳普蒂克斯公司 |
| 主分类号： | G06F3/044 | 分类号： | G06F3/044;G06F3/041 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 俞华梁;刘春元 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 电容性感测阵列包括第一发射器电极、多个第一接收器电极、第二发射器电极和设置在阵列的第一行中的多个第二接收器电极。第一发射器电极设置于阵列的第一列中且耦合到第一发射器信道。第一接收器电极设置于阵列的第二列中，和第一发射器电极相邻，且耦合到多个第一接收器信道中的相应一个。第二发射器电极设置于阵列的第三列中且耦合到第二发射器信道。第二接收器电极设置于阵列的第四列中，和第二发射器电极相邻，且耦合到第一接收器信道中的相应一个。 | ||
| 搜索关键词： | 单层 电容 图像传感器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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