[发明专利]控制方法、控制系统及半导体制造设备有效
| 申请号： | 201910949523.3 | 申请日： | 2019-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN112635381B | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 刘洋 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种控制方法、控制系统以及半导体制造设备，控制方法包括：提供晶圆承载盘，晶圆承载盘内具有静电产生电路，静电产生电路包括第一端口和第二端口；提供第一直流电源以及第二直流电源，第一直流电源连接第一端口，第二直流电源连接第二端口；控制第一直流电源向第一端口提供第一电压，第二直流电源向第二端口提供第二电压，第二电压与第一电压的正负相反且绝对值相等，以使晶圆承载盘产生静电；控制第一直流电源向第一端口提供的电压的绝对值由第一电压的绝对值逐渐减小至零，第二直流电源向第二端口提供的电压的绝对值由第二电压的绝对值逐渐减小至零。本发明改善半导体制造过程中等离子泄露现象，降低晶圆缺陷，提高半导体产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 控制 方法 控制系统 半导体 制造 设备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
