[发明专利]掩膜板坯料、相移掩膜板及半导体器件的制造方法

摘要

一种掩膜板坯料、相移掩膜板及其它们的制造方法，根据该掩膜板坯料，即使在形成相移膜的材料中使用硅类材料的情况下，该相移膜在面内及膜厚方向上的组成以及光学特性的均匀性也较高，多个基板间的相移膜的组成以及光学特性的均匀性也较高，进而缺陷也较少。该掩膜板坯料的特征在于，在透光性基板上设有相移膜，所述相移膜以规定的透光率使ArF曝光光透过，且具有使透过的ArF曝光光产生规定量相移的功能，所述相移膜具有层叠了低透光层及高透光层的结构，所述低透光层及所述高透光层由以硅及氮形成的材料形成，或者由在该材料中含有从半金属元素、非金属元素以及稀有气体中选择的一种以上元素的材料形成，所述低透光层与所述高透光层相比，氮含量相对少。

主权项

1.一种掩膜板坯料，其在透光性基板上设有相移膜，所述掩膜板坯料的特征在于，/n所述相移膜以1％以上30％以下的透光率使ArF曝光光透过，且具有使透过所述相移膜的ArF曝光光，在与通过了与所述相移膜厚度为相同距离的空气中的ArF曝光光之间，产生170度以上190度以下的相位差的功能，/n所述相移膜具有层叠了第一硅含有层及第二硅含有层的结构，/n所述第一硅含有层及所述第二硅含有层由以硅及氮形成的材料形成，或者由含有从半金属元素、非金属元素以及稀有气体中选择的一种以上元素和硅及氮形成的材料形成，/n所述第一硅含有层及所述第二硅含有层含有氮，/n所述第一硅含有层与所述第二硅含有层相比，氮含量相对少。/n