[发明专利]一种高质量自支撑氮化物衬底的制备方法及生长结构在审
| 申请号： | 201910950441.0 | 申请日： | 2019-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN110729182A | 公开（公告）日： | 2020-01-24 |
| 发明（设计）人： | 徐俞;王建峰;徐科 | 申请（专利权）人： | 苏州纳维科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C23C16/34;C23C16/02 |
| 代理公司： | 32293 苏州国诚专利代理有限公司 | 代理人： | 杨淑霞 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高质量自支撑氮化物衬底的制备方法，包括以下步骤：提供一基板，在该基板上形成具有极性的二维材料层；在二维材料层上形成一层石墨烯层，该石墨烯层为单层结构；在单层的石墨烯层的表面生长氮化物厚膜；通过机械剥离的方式去除基板；通过研磨抛光处理的方式去除二维材料层和石墨烯层，并获得平整的氮化物厚膜，该平整的氮化物厚膜即为自支撑氮化物衬底。该方法可以实现在无缺陷的石墨烯表面生长氮化物厚膜，可以有效降低界面处缺陷，从而提高自支撑氮化物衬底的晶体质量。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物厚膜 石墨烯层 二维材料 氮化物 自支撑 衬底 基板 表面生长 去除 平整 研磨抛光处理 单层结构 机械剥离 界面处 石墨烯 单层 制备 | ||
【主权项】：
1.一种高质量自支撑氮化物衬底的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n提供一基板，在该基板上形成具有极性的二维材料层；/n在二维材料层上形成一层石墨烯层，该石墨烯层为单层结构；/n在单层的石墨烯层的表面生长氮化物厚膜；/n通过机械剥离的方式去除基板；/n通过研磨抛光处理的方式去除二维材料层和石墨烯层，并获得平整的氮化物厚膜，该平整的氮化物厚膜即为自支撑氮化物衬底。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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