[发明专利]一种高质量自支撑GaN衬底的制备方法及生长结构有效
| 申请号： | 201910951222.4 | 申请日： | 2019-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN110707002B | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 徐俞;王建峰;徐科 | 申请（专利权）人： | 苏州纳维科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/78;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人： | 杨淑霞 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高质量自支撑GaN衬底的制备方法，包括以下步骤：提供二维材料基板；在二维材料基板表面生长AlN柱，形成位于二维材料基板上的AlN柱层；在AlN柱层上生长GaN厚膜；通过机械剥离的方式去除二维材料基板；通过研磨抛光处理的方法去除AlN柱层，并获得平整的GaN厚膜，该GaN厚膜即为自支撑GaN衬底。该方法可以利用在二维材料基板上进行外延生长时较低的成核密度，先在二维材料基板上高温生长AlN柱，再利用GaN侧向合并能力强的特点，以降低缺陷密度，在AlN柱上再生长GaN厚膜，以提高最终获得的自支撑氮化物衬底的晶体质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 质量 支撑 gan 衬底 制备 方法 生长 结构 | ||
【主权项】：
1.一种高质量自支撑GaN衬底的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n提供二维材料基板；/n在二维材料基板表面生长AlN柱，形成位于二维材料基板上的AlN柱层；/n在AlN柱层上生长GaN厚膜；/n通过机械剥离的方式去除二维材料基板；/n通过研磨抛光处理的方法去除AlN柱层，并获得平整的GaN厚膜，该GaN厚膜即为自支撑GaN衬底。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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