[发明专利]磁性隧道结结构及磁性随机存储器在审
| 申请号： | 201910951256.3 | 申请日： | 2019-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN112635654A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 张云森;郭一民;陈峻;肖荣福 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10;H01L43/12 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201815 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请提供一种磁性隧道结结构及磁性随机存储器，所述磁性隧道结结构包括双层结构的自由层，两自由层之间由非磁性金属氧化物形成的垂直各向异性增强层，以及设置于自由层上方的磁阻尼阻挡层。本申请的具有双自由层和磁阻尼阻挡层的磁性隧道结结构单元，增强了器件的热稳定性，降低了阻尼系数，有利于写电流的降低。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 隧道 结构 随机 存储器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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