[发明专利]一种无线充电用聚偏氟乙烯基超薄覆盖膜的制备方法在审
| 申请号： | 201910951681.2 | 申请日： | 2019-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN110699852A | 公开（公告）日： | 2020-01-17 |
| 发明（设计）人： | 余滕 | 申请（专利权）人： | 余滕 |
| 主分类号： | D04H1/4382 | 分类号： | D04H1/4382;D01D5/00;D01D1/02;D01F1/10;D01F8/10;D01F8/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 235065 安徽省淮*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种无线充电用聚偏氟乙烯基超薄覆盖膜的制备方法，属于无线充电技术领域。本发明以聚偏氟乙烯为原料，制备无线充电用聚偏氟乙烯基超薄覆盖膜，聚偏氟乙烯的基本组成单元为CH2=CF2，是由两个氟原子取代了乙烯中的两个氢原子而构成的，两个氟原子都偏在同一侧，并且与一个碳原子相结合，由于C‑F键键长短，键能高，所以聚偏氟乙烯具有很好的化学稳定性，室温下不受酸、碱等强氧化剂和卤素的腐蚀，并且聚偏氟乙烯的抗紫外线和耐老化性能优异，对波长200~400nm的紫外线辐照稳定，以聚偏氟乙烯膜为原料制备的覆盖膜具有优良的耐高温性、抗紫外线性、耐磨性和耐冲击强度。 | ||
| 搜索关键词： | 聚偏氟乙烯 无线充电 覆盖膜 制备 聚偏氟乙烯膜 氟原子取代 化学稳定性 抗紫外线性 耐老化性能 紫外线辐照 耐磨性 氧化剂 抗紫外线 耐高温性 原料制备 组成单元 氟原子 氢原子 碳原子 波长 等强 键能 乙烯 腐蚀 | ||
【主权项】：
1.一种无线充电用聚偏氟乙烯基超薄覆盖膜的制备方法，其特征在于，具体制备步骤为：/n（1）将聚偏氟乙烯、互穿网络聚合物置于剪切机中，常温下以160~180r/min转速剪切10~15min，得聚合物混合料；/n（2）将聚合物混合料加入N,N-二甲基甲酰胺中，常温下以200~240r/min转速搅拌20~30min，得聚合物溶液；/n（3）将改性纳米炭黑、聚乙烯醇加入聚合物溶液中，常温下以600~800r/min转速搅拌20~30min，得聚合物悬浮液；/n（4）将聚合物悬浮液置于超声分散机中，常温下超声分散40~60min，得纺丝液；/n（5）将纺丝液置于静电纺丝装置的注射器中，喷至铝箔收集板上，将铝箔收集板置于50~60℃的烘箱中干燥30~40min，常温冷却，取下薄膜，得无线充电用聚偏氟乙烯基超薄覆盖膜。/n
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