[发明专利]半导体器件及半导体器件的电容孔制备方法有效
| 申请号： | 201910952713.0 | 申请日： | 2019-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN112652529B | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 鲍锡飞;其他发明人请求不公开姓名 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 汪洁丽 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及电容孔制备方法及包括该电容孔的半导体器件，制备方法包括：在基底上形成叠设的第一介质层、第一掩膜层、第一图形层、第二介质层、第二掩膜层和第二图形层；第一图形层和第二图形层围成网格；在第二图形层上形成第三掩膜层以覆盖边缘区域的第二掩膜层并暴露出中间区域的第二掩膜层；刻蚀暴露的第二掩膜层直至暴露出第二介质层；刻蚀暴露的第二介质层直至暴露出第一图形层和第一掩膜层；去除第三掩膜层，刻蚀暴露的第一掩膜层和边缘区域的第二图形层和第二掩膜层直至暴露出第一介质层，第二掩膜层和第一掩膜层的刻蚀选择比大于1，刻蚀暴露的第一介质层，形成电容孔。本申请在刻蚀中间区域第一掩膜层的同时，刻蚀并降低边缘区域的线高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 电容 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
