[发明专利]硅基调制深度可调双级联调制器及其微波光子链路高线性方法有效
| 申请号： | 201910954076.0 | 申请日： | 2019-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN110768723B | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 余辉;张强;傅志磊;夏鹏辉;王肖飞 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H04B10/2543 | 分类号： | H04B10/2543;H04B10/516;H04B10/564;G02F1/21;G02F1/225 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 郑海峰 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅基调制深度可调双级联调制器及其微波光子链路高线性方法，该方法通过两个基于载流子耗尽型的硅基MZM1、MZM2和一个TROPS；TROPS级联在MZM1和MZM2之间。激光器输出的光信号经过偏振控制器，通过光纤耦合器耦合到DSMZMs，调制小信号通过50/50的EPS加载DSMZMs上，在链路接收端用光电二极管直接检测。调整TROPS的分配比γ控制MZM2的调制深度，同时调控MZM1和MZM2直流反偏电压以及偏置工作点，使两个调制器中的IMD3信号相互抑制，从而实现了基于硅基调制器的高线性微波光子链路，并从理论上详细推导分析了DSMZMs的FH和IMD3信号变化与反偏直流电压以及γ之间的关系。 | ||
| 搜索关键词： | 基调 深度 可调 级联 调制器 及其 微波 光子 链路高 线性 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅基调制深度可调双级联调制器，其特征在于包括：一个基于载流子耗尽型的硅基MZM1、一个基于载流子耗尽型的硅基MZM2和一个TROPS；且所述的TROPS级联在MZM1和MZM2之间，通过改变TROPS的分配比γ控制MZM2的调制深度。/n
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