[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201910956791.8 | 申请日： | 2019-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN111128884B | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 陈俊翰;吴以雯;李振铭;杨复凯;王美匀;柯忠廷;李志鸿;徐志安 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在实施例中，一种方法包括：形成差分接触蚀刻停止层(CESL)，具有源极/漏极区域上方的第一部分和沿栅堆叠件的第二部分，源极/漏极区域在衬底中，栅极堆叠件在靠近源极/漏极区域的衬底上方，第一部分的第一厚度大于第二部分的第二厚度；在差分CESL上方沉积第一层间电介质(ILD)；在第一ILD中形成源极/漏极接触开口；沿源极/漏极接触开口的侧壁形成接触间隔件；在形成接触间隔件后，使源极/漏极接触开口延伸穿过差分CESL；和在延伸的源极/漏极接触开口中形成第一源极/漏极接触件，第一源极/漏极接触件物理和电耦合源极/漏极区域，接触间隔件将第一源极/漏极接触件与第一ILD物理地分隔开。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910956791.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：柔性有机EL显示器的制造方法
- 下一篇：一种基于区块链的互联网用数据管理系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
