[发明专利]晶体硅太阳能电池及其制备方法、光伏组件在审
| 申请号： | 201910956992.8 | 申请日： | 2019-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN110690324A | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 陈孝业;张俊兵;单伟 | 申请（专利权）人： | 晶澳(扬州)太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 31300 上海华诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐颖聪 |
| 地址： | 225131 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶体硅太阳能电池及其制备方法、光伏组件。该晶体硅太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：在晶体硅基体上形成第一本征多晶硅层；在所述第一本征多晶硅层上形成具有掺杂元素的多晶硅层；在所述具有掺杂元素的多晶硅层上形成第二本征多晶硅层；以及对所述第一本征多晶硅层、所述具有掺杂元素的多晶硅层和所述第二本征多晶硅层进行加热，使所述具有掺杂元素的多晶硅层中的掺杂元素进入所述第一本征多晶硅层和所述第二本征多晶硅层，从而得到晶体硅太阳能电池。本发明的晶体硅太阳能电池的制备方法可以提高晶体硅太阳能电池的制备速率，并且容易实现晶体硅太阳能电池的质量控制。 | ||
| 搜索关键词： | 本征多晶硅层 晶体硅太阳能电池 掺杂元素 多晶硅层 制备 晶体硅基体 光伏组件 质量控制 加热 | ||
【主权项】：
1.晶体硅太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：/n在晶体硅基体上形成第一本征多晶硅层；/n在所述第一本征多晶硅层上形成具有掺杂元素的多晶硅层；/n在所述具有掺杂元素的多晶硅层上形成第二本征多晶硅层；以及/n对所述第一本征多晶硅层、所述具有掺杂元素的多晶硅层和所述第二本征多晶硅层进行加热，使所述具有掺杂元素的多晶硅层中的掺杂元素进入所述第一本征多晶硅层和所述第二本征多晶硅层，从而得到晶体硅太阳能电池。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
