[发明专利]一种高量子效率CCD结构在审
| 申请号： | 201910957618.X | 申请日： | 2019-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN110676279A | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 杨洪;白雪平;姜华男;袁世顺;翁雪涛 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
| 主分类号： | H01L27/148 | 分类号： | H01L27/148 |
| 代理公司： | 50215 重庆辉腾律师事务所 | 代理人： | 王海军 |
| 地址： | 400060 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及电荷耦合器件技术领域，具体涉及一种高量子效率CCD结构，包括：第一垂直分组、第二垂直分组、第三垂直分组、第四垂直分组，每个垂直分组包括垂直CCD多晶硅栅、第一蓝光窗口和第二蓝光窗口，所述垂直CCD多晶硅栅包括至少四根多晶硅条，且每根多晶硅条上设置有接触孔；两个蓝光窗口分别位于垂直CCD多晶硅栅的左、右两侧形成双蓝光窗口像元架构；两个蓝光窗口各自按照左右分割的方式均匀分成三个面积等大的区域；不同垂直分组之间通过金属引线连接接触孔实现电学互联。本发明可解决大尺寸像元信号收集问题，可改善大尺寸帧转移CCD以及TDICCD量子效率，同时保证CCD满阱容量、动态范围、转移效率等特性不会退化。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 蓝光 分组 多晶硅栅 多晶硅条 接触孔 电荷耦合器件 高量子效率 金属引线 量子效率 像元信号 转移效率 电学 等大 像元 架构 退化 互联 分割 保证 | ||
【主权项】：
1.一种高量子效率CCD结构，包括：第一垂直分组、第二垂直分组、第三垂直分组、第四垂直分组，每个垂直分组包括垂直CCD多晶硅栅、第一蓝光窗口和第二蓝光窗口，其特征在于，所述垂直CCD多晶硅栅包括至少四根多晶硅条，从上到下分别为第一多晶硅条、第二多晶硅条、第三多晶硅条、第四多晶硅条，且每根多晶硅条上设置有2个接触孔；所述第一蓝光窗口和第二蓝光窗口分别位于垂直CCD多晶硅栅的左、右两侧，从而形成双蓝光窗口像元架构；所述第一蓝光窗口和第二蓝光窗口各自按照左右分割的方式，均匀分成三个面积等大的区域，分别是分区1、分区2和分区3；不同垂直分组之间通过金属引线连接接触孔实现电学互联。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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