[发明专利]一种一维铜碘基杂化半导体材料及其光电应用有效
申请号: | 201910957801.X | 申请日: | 2019-10-10 |
公开(公告)号: | CN110590816B | 公开(公告)日: | 2021-10-12 |
发明(设计)人: | 许让栋;刘广宁;赵若愚;吴倩;张洁;王洋洋;李村成 | 申请(专利权)人: | 济南大学 |
主分类号: | C07F1/08 | 分类号: | C07F1/08;H01L51/46;H01L51/42 |
代理公司: | 济南誉丰专利代理事务所(普通合伙企业) 37240 | 代理人: | 赵凤 |
地址: | 250022 山东省济*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明公开了一种一维铜碘基无机‑有机杂化钙钛矿半导体材料及其制备方法和应用。所述的杂化钙钛矿半导体分子结构式为CuI(Btz),式中的Btz是苯并噻唑,该材料表现为有机配体和无机组分通过配位键相连的杂化一维链结构。铜碘原子交替配位相连形成阶梯状中性一维链,苯并噻唑则通过铜氮配位键呈翼状分布在铜碘链的两侧。该材料可通过选择碘化亚铜,苯并噻唑等反应原料通过简便的溶剂热反应获得,材料无机和有机组分间电子传输效率高,光电转换性能优异,稳定性好,可用作光伏器件的制作。 | ||
搜索关键词: | 一种 一维铜碘基杂化 半导体材料 及其 光电 应用 | ||
【主权项】:
1.一种具有光电转换性能的一维铜碘基杂化钙钛矿半导体材料,其特征在于:该杂化材料的结构式为CuI(Btz),式中的Btz表示苯并噻唑;所述的铜碘基杂化材料结晶于单斜晶系,P21/c空间群,单胞参数为a = 4.19(2) Å,b=12.32(2) Å,c=16.43(1) Å,α=90 º,β=90.14(2) º,γ=90 º,材料的晶体颜色为淡黄色,表现为有机配体和无机组分通过配位键相连的杂化一维链结构,具体结构特征为每个铜离子均与三个碘离子和一个苯并噻唑的氮原子配位形成(CuI
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