[发明专利]半导体结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201910958188.3 | 申请日： | 2019-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN111384025B | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 丘世仰 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构包括一半导体基底、一气隙区、一覆盖层以及一绝缘层。该气隙区配置在该半导体基底中。该覆盖层配置在该气隙区上。该绝缘层配置在该半导体基底上，且部分地环绕该覆盖层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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