[发明专利]半导体元件内部影像信息检测方法在审

专利信息
申请号: 201910959063.2 申请日: 2019-10-10
公开(公告)号: CN112649444A 公开(公告)日: 2021-04-13
发明(设计)人: 魏汝超;孙泰炎;罗仁昱;陈东林 申请(专利权)人: 超能高新材料股份有限公司
主分类号: G01N21/95 分类号: G01N21/95;H01L21/66
代理公司: 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 代理人: 侯奇慧
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 一种用于半导体元件内部影像信息的检测方法,应用于一半导体元件,该半导体元件包含一垂直堆栈结构,其内部信息无法以单次扫描完整取得。内部信息检测方法首先是将镜头对焦于半导体元件表面清晰的焦平面位置取像,接者将焦平面位置向下移动一景深距离取像,重复动作至半导体元件底层,最后依据取得的多个影像判断半导体元件内部信息。
搜索关键词: 半导体 元件 内部 影像 信息 检测 方法
【主权项】:
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