[发明专利]一种沟槽栅型IGBT结构在审
| 申请号： | 201910959594.1 | 申请日： | 2019-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN112652657A | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 金锐;李立;和峰;赵哿;王耀华;刘江;高明超;吴军民;潘艳;白鹭;李冠良 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司;国网山西省电力公司电力科学研究院;国家电网有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种沟槽栅型IGBT结构，所述IGBT结构包括：N型参杂发射区(11)、所述P型掺杂深结区(10)、多晶硅假栅极结构(7)；所述多晶硅假栅极结构(7)与所述N型参杂发射区(11)相连，且所述多晶硅假栅极结构(7)的底部插入所述P型掺杂深结区(10)。本发明通过增加多晶硅假栅极结构(7)，降低PNP分量，增强电导调制效应，降低芯片的饱和压降，同时多晶硅假栅极结构(7)与背面金属电极(4)距离近，并与N型掺杂发射区(11)相连，可以有效降低沟槽栅型IGBT芯片元胞区域的传输电容，从而降低IGBT芯片的动态损耗，提升整体性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 igbt 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于全球能源互联网研究院有限公司;国网山西省电力公司电力科学研究院;国家电网有限公司，未经全球能源互联网研究院有限公司;国网山西省电力公司电力科学研究院;国家电网有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910959594.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种雪莲果茶及其制备方法
- 下一篇：微气泡喷头及具有该微气泡喷头的洗涤设备
- 同类专利
- 专利分类
