[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，以介质层为掩膜，刻蚀回刻蚀槽周围的同型重掺杂区和下方的部分厚度的反型体区，来形成所需深度的接触孔，这实质上是一种自对准接触孔刻蚀工艺，因此，基本上不会因工艺波动而产生接触孔对准偏移的问题，进而保证了接触孔和栅极沟槽有非常高的对准精度，避免了后续接触孔内注入的杂质离子在退火后会扩散到沟道区域的问题，进而改善半导体器件的性能。此外，由于是一种自对准接触孔刻蚀工艺，因此无需光罩掩膜版辅助即可刻蚀接触孔，继而可以省去一张光罩掩膜版，降低生产成本。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：/nS1，提供半导体衬底，并刻蚀所述半导体衬底，以形成栅极沟槽于所述半导体衬底中；/nS2，形成栅极于所述栅极沟槽中，并回刻蚀所述栅极至所述栅极沟槽内一定深度，以形成回刻蚀槽；/nS3，形成反型掺杂区和同型重掺杂区于所述栅极沟槽周围的半导体衬底中；/nS4，填充在预设温度下可流动的介质材料于所述回刻蚀槽中并回流，以形成介质层，所述介质层填满所述回刻蚀槽并露出所述回刻蚀槽周围的同型重掺杂区的表面；/nS5，以所述介质层为掩膜，刻蚀所述回刻蚀槽周围露出的同型重掺杂区及所述同型重掺杂区下方的反型体区，以形成接触孔；/nS6，形成接触插塞于所述接触孔中。/n