[发明专利]一种芯片植球用键合丝在审

专利信息
申请号: 201910961734.9 申请日: 2019-10-11
公开(公告)号: CN110648989A 公开(公告)日: 2020-01-03
发明(设计)人: 李天祥;张冠忠;杨松青 申请(专利权)人: 重庆新启派电子科技有限公司
主分类号: H01L23/49 分类号: H01L23/49;H01L21/48;C21D9/52;C22C1/02;C22C5/06;C22F1/14
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 400000 重庆市石柱土家族自治县下*** 国省代码: 重庆;50
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摘要: 发明公开了一种芯片植球用键合丝的方法。所采用的技术方案:对金银等金属提纯以保证其纯度为99.9999%。高真空熔炼,充高纯氩气保护下拉式熔炼方式,拉铸成合金棒。熔炼温度1000‑1500℃,拉铸速度10mm/min‑100mm/min。冷却水流速为1‑10L/min。
搜索关键词: 熔炼 冷却水流速 高纯氩气 金属提纯 高真空 合金棒 键合丝 下拉式 拉铸 植球 芯片 保证
【主权项】:
1.一种芯片植球用键合丝,其特征在于:所采用原材料的纯度为99.9999%。/n
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