[发明专利]半导体结构的形成方法、晶体管在审
| 申请号： | 201910961943.3 | 申请日： | 2019-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN112652578A | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 张静;刘佳磊 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088;H01L29/08 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 吴凡 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构的形成方法、晶体管，形成方法包括：提供基底，包括第一器件区和第二器件区，基底上形成横跨第一器件区和第二器件区的栅极结构；在第一器件区的栅极结构侧壁形成第一侧墙，在形成第一侧墙的过程中形成覆盖第二器件区的第一侧墙材料层，形成所述第一源漏掺杂层的步骤包括形成第一种子层；第一器件区的栅极结构和第一侧墙两侧的基底中形成第一源漏掺杂层；之后，去除至少部分厚度的第一侧墙材料层和至少部分厚度的第一侧墙；之后，在第二器件区的栅极结构和第二侧墙两侧的基底中形成第二源漏掺杂层，形成第二源漏掺杂层的步骤包括形成第二种子层。所述方法提高了半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 晶体管 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
