[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法有效
| 申请号： | 201910965159.X | 申请日： | 2014-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN110690146B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 藤原友则;柴山宣之;吉田幸史;柴田哲弥;仲野彰义 | 申请（专利权）人： | 斯克林集团公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 向勇;宋晓宝 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种在对基板实施液体处理时能够执行恰当的处理的基板处理装置以及基板处理方法。基板处理装置(1)具有：基板保持部，将基板保持为水平姿势，并使该基板围绕通过该基板的面内的中心的铅垂的旋转轴旋转；挡板构件(60)，其呈沿着基板(9)的表面周缘部的至少一部分形成的形状，并配置在与被基板保持部保持的基板(9)的表面周缘部以非接触状态接近的位置；杯(31)，其为上端开放的筒形状构件，同时包围被基板保持部保持的基板(9)和挡板构件(60)；喷嘴(50)，隔着挡板构件(60)的至少一部分配置在与杯(31)的一侧相反的一侧，向被基板保持部保持的基板(9)的表面周缘部喷出处理液。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 以及 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理装置，其特征在于，/n具有：/n旋转基座，其以旋转轴为中心在水平面内旋转，/n保持部，其在所述旋转基座的上方保持基板，/n下表面处理部，其向被所述保持部保持的所述基板的下表面喷出处理液；/n所述保持部具有：/n多个第一抵接构件，从基板的斜下方与所述基板抵接，在从所述旋转基座的上表面离开的位置将所述基板保持为水平姿势，/n多个第二抵接构件，从基板的侧方与所述基板抵接，在从所述旋转基座的上表面离开的位置将所述基板保持为水平姿势，/n切换部，对所述多个第一抵接构件保持基板的第一保持状态和所述多个第二抵接构件保持基板的第二保持状态进行切换；/n在所述第二保持状态下，所述第一抵接构件从基板离开，/n在所述第一保持状态下，基板的上表面位于比所述第一抵接构件的上端更高的位置，且所述第二抵接构件从所述基板离开。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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