[发明专利]p型叠层渐变带隙硅量子点多层膜及其制备方法和应用

摘要

本发明公开了一种p型叠层渐变带隙硅量子点多层膜及其制备方法和应用，属于光电技术领域，该p型叠层渐变带隙硅量子点多层膜包括6层硅量子点薄膜，每两层硅量子点薄膜厚度一致，相同厚度规格的硅量子点薄膜相邻，相邻的碳化硅薄膜之间有一层硅量子点薄膜。该制备方法为通过等离子体增强气相沉积工艺在n型硅衬底2和n型硅纳米线3上生长p型叠层渐变带隙硅量子点多层膜。该应用采用p型叠层渐变带隙硅量子点多层膜制备太阳能电池，该电池包括依次叠加的Al电极层、n型硅衬底、n型硅纳米线、p型叠层渐变带隙硅量子点多层膜、石墨烯层和Au电极层。本发明利用叠层硅量子点多层薄膜的渐变带隙来拓宽吸收层中的光响应范围，改善了器件的光电性能。