[发明专利]三维存储器结构及其制备方法

摘要

本发明提供一种三维存储器结构及其制备方法，制备方法包括如下步骤：提供半导体衬底，形成叠层结构，并于叠层结构中形成沟道孔，形成功能侧壁层，形成沟道层，形成栅极间隙，去除所述牺牲层形成牺牲间隙；于牺牲间隙内形成栅极层；以及于形成有栅极层的叠层结构上制备绝缘盖层，且绝缘盖层与栅极间隙形成间隙腔。通过上述方案，本发明在栅极间隙中制备间隙腔，进一步在间隙腔内壁制备包覆栅极层的漏电材料抑制层，从而可以有利于栅极漏电流的减小，并减小材料制备所带来的应力，进而减小整个器件结构的应力，采用背面刻蚀等工艺制备背面连接引出区，从背面连线实现与正面连线响应的功能。

主权项

1.一种三维存储器结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：/n提供半导体衬底；/n于所述半导体衬底上形成叠层结构，并于所述叠层结构中形成沟道孔，所述叠层结构包括交替叠置的牺牲层及绝缘介质层，所述沟道孔贯穿所述叠层结构；/n于所述沟道孔的内壁上形成功能侧壁层，于所述功能侧壁层表面形成沟道层；/n于所述叠层结构内形成栅极间隙，所述栅极间隙与所述沟道孔之间具有间距；/n基于所述栅极间隙去除所述牺牲层，以形成牺牲间隙；/n于所述牺牲间隙内形成栅极层；以及/n于形成有所述栅极层的所述叠层结构上制备绝缘盖层，且所述绝缘盖层与所述栅极间隙形成间隙腔。/n