[发明专利]一种高效背钝化晶硅太阳能电池及其制备方法在审
| 申请号： | 201910967301.4 | 申请日： | 2019-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN110690296A | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 张鹏;陈坤;王岚;尹志伟 | 申请（专利权）人： | 通威太阳能(眉山)有限公司;通威太阳能(成都)有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司： | 51230 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 | 代理人： | 邓芸 |
| 地址： | 620000 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高效背钝化晶硅太阳能电池及其制备方法，所述电池包括由上至下依次相连的Ag栅指电级、SiNx钝化减反射层、N+层(磷掺杂层)、P型硅、背面钝化层、Al栅指电级，所述Ag栅指电级依次贯穿钝化膜层、N+层通过N++层(重掺杂硅层)与P型硅相连，所述Al栅指电级贯穿背面钝化层通过P+层(局部接触铝掺杂层)与P型硅相连，所述背面钝化层为钝化减反叠层结构，所述钝化减反叠层结构包括由上至下依次设置的SiO | ||
| 搜索关键词： | 钝化 栅指 背面钝化层 减反射层 叠层结构 晶硅太阳能电池 高温度稳定性 高转换效率 重掺杂硅层 太阳能电池 钝化膜层 高稳定性 界面钝化 局部接触 磷掺杂层 依次设置 依次相连 钝化层 铝掺杂 贯穿 制备 电池 | ||
【主权项】：
1.一种高效背钝化晶硅太阳能电池，包括由上至下依次相连的Ag栅指电级(1)、SiNx钝化减反射层(2)、N+层(3)、P型硅(4)、背面钝化层(5)、Al栅指电级(6)，所述Ag栅指电级(1)依次贯穿SiNx钝化减反射层(2)、N+层(3)通过N++层(7)与P型硅(4)相连，所述Al栅指电级(6)贯穿背面钝化层(5)通过P+层(8)与P型硅(4)相连，其特征在于：所述背面钝化层(5)为钝化减反叠层结构，所述钝化减反叠层结构包括由上至下依次设置的SiO
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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