[发明专利]非晶二氧化锆/非晶铜合金层状结构及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201910967465.7 申请日: 2019-10-12
公开(公告)号: CN110670036B 公开(公告)日: 2021-09-14
发明(设计)人: 王祖敏;徐艺菲;胡章平;马硕;刘永长;黄远 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/16;C23C14/58;C22C45/00;C22C45/10
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人: 曹玉平
地址: 300350 天津市津南区海*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明涉及一种非晶二氧化锆/非晶铜合金层状结构及其制备方法。在富Zr的非晶Cu‑Zr二元合金表面上,生长厚度5nm~17nm的非晶ZrO2层表层,以及厚度8nm~28nm非晶Cu合金层下层;在非晶Cu合金层中分布有直径为10nm~20nm富Cu颗粒,其状态为非晶或晶体。采用磁控共溅射技术制备非晶Cu‑Zr薄膜合金;将非晶Cu‑Zr薄膜合金放入真空密闭环境并通入纯氧,使样品在恒压密闭条件下放入恒温的沙浴流化床中进行氧化,然后取出样品并进行冷却。与传统氧化层单一结构相比,本发明提出非晶二氧化锆/非晶铜合金层状结构,服役时可发生有效的钝化行为,阻止材料进一步氧化。制备方法简单、操作方便、易于实现。
搜索关键词: 非晶二 氧化锆 铜合金 层状 结构 及其 制备 方法
【主权项】:
1.非晶二氧化锆/非晶铜合金层状结构,其特征是在富Zr的非晶Cu-Zr二元合金表面上,生长厚度5nm~17nm的非晶ZrO
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