[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201910967906.3 | 申请日： | 2019-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN111081770A | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 上马场龙 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L27/07 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的目的在于，就在1个半导体衬底同时设置了晶体管区域和二极管区域的半导体装置而言，提供能够在二极管动作时实现良好的电气特性的半导体装置。半导体装置的特征在于，具备在具有正面和背面的半导体衬底设置的IGBT区域和二极管区域，该IGBT区域具备：第2导电型的基极层，其形成于该正面侧；以及第1沟槽部，其贯通该基极层而设置，该第1沟槽部具有：第1栅极电极，其下端与该基极层的下端相比位于上方；第2栅极电极，其设置于该第1栅极电极的正下方；以及绝缘膜，其设置于该第1栅极电极的侧面、该第1栅极电极和该第2栅极电极之间以及与该第2栅极电极接触的位置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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