[发明专利]一种等离子体刻蚀装置及其中的边缘环有效
| 申请号： | 201910968745.X | 申请日： | 2019-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN112652511B | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | 段蛟;陈星建;倪图强 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 赵晓荣 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请提供一种等离子体刻蚀装置及其中的边缘环，边缘环位于静电吸盘的外围，静电吸盘用于固定其上的待处理晶圆，边缘环可以包括聚焦环，聚焦环具有内侧部分和外侧部分，内侧部分位于待处理晶圆边缘的下方，外侧部分向外超出待处理晶圆的覆盖范围，外侧部分高于内侧部分，至少在聚焦环的外侧部分形成有保护涂层，保护涂层的介电常数从表面至底部逐渐增大，这样，可以使得等离子体鞘层在晶圆的整个表面保持均匀。同时即使边缘环上的保护涂层被等离子体刻蚀而发生磨损，保护涂层内部的较高介电常数的表面暴露出来，从而使保护涂层具有更好的电荷负载能力，维持等离子体鞘层的稳定，从而维持刻蚀速率的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 等离子体 刻蚀 装置 及其 中的 边缘 | ||
【主权项】：
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