[发明专利]闪存器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201910969623.2 | 申请日： | 2019-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN110690293A | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 邵永军 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L21/336 |
| 代理公司： | 31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种闪存器件及其制造方法，所述闪存器件包括：一衬底，所述衬底中形成有至少一个有源区，每个所述有源区中形成有至少一个凹槽，每个所述凹槽的两侧分别形成有源区和漏区；以及，栅极堆叠结构，至少部分形成于所述凹槽中。本发明的技术方案使得在闪存器件的尺寸减小的同时，还能改善甚至避免闪存器件的电性问题。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存器件 源区 衬底 栅极堆叠结构 尺寸减小 电性问题 漏区 制造 | ||
【主权项】：
1.一种闪存器件，其特征在于，包括：/n一衬底，所述衬底中形成有至少一个有源区，每个所述有源区中形成有至少一个凹槽，每个所述凹槽的两侧分别形成有源区和漏区；以及，/n栅极堆叠结构，至少部分形成于所述凹槽中。/n
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