[发明专利]用于提高非晶材料无序性的间歇磁控溅射方法有效
| 申请号： | 201910969641.0 | 申请日： | 2019-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN110724921B | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 缪向水;何超;童浩 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/54 |
| 代理公司： | 武汉东喻专利代理事务所(普通合伙) 42224 | 代理人： | 王福新 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于提高非晶材料无序性的间歇磁控溅射方法，包括如下步骤：将待溅射的基片清洗后，放置在溅射腔体的托盘上；将待溅射靶材打磨清洗后，放置在所述溅射腔体的直流溅射靶位上；将所述溅射腔体抽真空至设定真空度；设置溅射过程中的条件参数；对所述待溅射靶材进行间歇磁控溅射，溅射过程中溅射第一时间，保持溅射环境不变的情况下，停止溅射所述第一时间，再溅射所述第一时间，停止溅射第二时间，然后再溅射所述第一时间，停止溅射第三时间，依次进行溅射，每次停顿的时间依次延长，直到溅射出所需要的薄膜厚度。本发明的间歇磁控溅射方法，在保持薄膜无序度的提升的同时，更加有利于薄膜的非晶性能的形成。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 提高 材料 无序 间歇 磁控溅射 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于提高非晶材料无序性的间歇磁控溅射方法，其特征在于，包括如下步骤：/n将待溅射的基片清洗后，放置在溅射腔体的托盘上；/n将待溅射靶材打磨清洗后，放置在所述溅射腔体的直流溅射靶位上；/n于设定的真空度、靶基距、靶材溅射功率条件下，在所述溅射腔体中对所述待溅射靶材进行间歇磁控溅射；/n溅射过程中保持基片温度在80℃以下，溅射过程中溅射第一时间，保持溅射环境不变的情况下，停止溅射所述第一时间，再溅射所述第一时间，停止溅射第二时间，然后再溅射所述第一时间，停止溅射第三时间；溅射所述第一时间后，再停止溅射的过程为一个周期，每个周期中停止溅射的时间依次延长，直到溅射出所需要的薄膜厚度；/n所述第一时间为4min～6min，所述第二时间为2倍的第一时间，所述第三时间为3倍的第一时间，按此规律依次延长，所述第n时间为n倍的第一时间，n为自然数，且取值与所需要的所述薄膜厚度相关。/n
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