[发明专利]一种高密度打线复位方法有效
| 申请号： | 201910970110.3 | 申请日： | 2019-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN110729208B | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 高峰;戴伟峰 | 申请（专利权）人： | 闳康技术检测（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新区中国(上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体打线技术领域，公开了一种高密度打线复位方法，包括如下步骤：S100：选定并标注芯片上被压塌或者变形的区域作为目标区域；S200：打磨所述目标区域，露出芯片内的引线与焊盘，选定并标注被破坏的打线作为目标打线，选定需要连接的焊盘为目标焊盘；S300：在立体显微镜下使用钩针钩断目标打线，拔除焊盘上的目标打线，使用钩针设备钩断目标焊盘上的打线；S400：将目标打线的断口与目标焊盘上打线的断口合拢，合拢处添加用于固定并电连接打线端口的连接介质；S500：对目标区域进行封胶；在芯片上直接进行打线的修复，通过这种打线修复方式可以有效提高芯片的分析速度，不需要再从封装厂进行重新上框架和打线分析，缩短了芯片分析周期。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高密度 复位 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高密度打线复位方法，其特征在于，包括如下步骤：/n步骤S100：选定并标注芯片上被压塌或者变形的区域作为目标区域；/n步骤S200：打磨所述目标区域，露出芯片内的引线与焊盘，选定并标注被破坏的打线作为目标打线，选定需要连接的焊盘为目标焊盘；/n步骤S300：在立体显微镜下使用钩针钩断目标打线，拔除焊盘上的目标打线，然后使用钩针设备钩断目标焊盘上的打线；/n步骤S400：使用钩针将目标打线的断口与目标焊盘上打线的断口合拢，合拢处添加用于固定并电连接打线端口的连接介质；/n步骤S500：对目标区域进行封胶。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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