[发明专利]一种磁存储器底电极及其制造工艺和磁存储器在审
| 申请号： | 201910972375.7 | 申请日： | 2019-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN112736189A | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 吴关平 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/02 | 分类号： | H01L43/02;H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201815 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种磁存储器底电极及其制造工艺和磁存储器，制造工艺包括：衬底片上已完成磁存储器底部金属导线制作及表面平坦化；依次沉积第一电介质层、第二电介质层、第三电介质层、第四电介质层和第五电介质层；光刻通孔图案；通过依次刻蚀所述第五电介质层、所述第四电介质层，停在所述第三电介质层，或者通过依次刻蚀所述第五电介质层、所述第四电介质层和第三电介质层，停在所述第二电介质层，以形成第一孔槽；沉积第六电介质层，填充所述第一孔槽；全片刻蚀，以使所述第六电介质层在所述第一孔槽内形成侧墙；继续刻蚀剩余的电介质层，形成通孔；通过所述通孔将后续制作的MTJ结构与所述金属导线电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁存储器 电极 及其 制造 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海磁宇信息科技有限公司，未经上海磁宇信息科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910972375.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种用于自识别的定位机器人及其定位系统
- 下一篇：机器人夹持下的导管测量方法
