[发明专利]存储器芯片的失效分析方法有效
| 申请号： | 201910972844.5 | 申请日： | 2019-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN110706732B | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 李辉 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C29/02 | 分类号： | G11C29/02;G11C29/56 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 董琳 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种存储器芯片的失效分析方法，包括：确定失效点所在的热点区域；确认存在漏电的字线；对所述存在漏电的字线施加偏压，同时观察位于所述热点区域内的位线的电压衬度，直至寻找到所述热点区域内出现异常电压衬度的失效位线；对所述失效位线进行失效分析。上述方法能够提高失效分析效率。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 芯片 失效 分析 方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储器芯片的失效分析方法，其特征在于，包括：/n确定失效点所在的热点区域；/n确认存在漏电的字线；/n对所述存在漏电的字线施加偏压，同时观察位于所述热点区域内的位线的电压衬度，直至寻找到所述热点区域内出现异常电压衬度的失效位线；/n对所述失效位线进行失效分析。/n
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