[发明专利]固态成像器件及固态成像器件的制造方法在审
| 申请号： | 201910972850.0 | 申请日： | 2014-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN110660819A | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 桝田佳明;宫波勇树;阿部秀司;平野智之;山口征也;蛯子芳树;渡边一史;荻田知治 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L31/0203;H01L31/0232;H04N5/369;G02B1/118 |
| 代理公司： | 11290 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李晗;曹正建 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及能够在抑制混色恶化的同时提高灵敏度的固态成像器件以及固态成像器件的制造方法电子装置。所述固态成像器件包括：半导体基板，具有接收入射光的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；第一沟槽和第二沟槽，设置在所述半导体基板的所述第一表面中；以及第一凹入结构和第二凹入结构，设置在所述第一沟槽和所述第二沟槽之间，并在所述半导体基板的所述第一表面中，所述第一凹入结构和所述第二凹入结构的深度比所述第一沟槽和所述第二沟槽的深度浅。本发明的技术可例如应用于背面照射型固态成像器件。 | ||
| 搜索关键词： | 固态成像器件 凹入结构 第一表面 半导体基板 背面照射型 第二表面 电子装置 灵敏度 混色 恶化 应用 制造 收入 | ||
【主权项】：
1.一种固态成像器件，其包括：/n半导体基板，具有接收入射光的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；/n第一沟槽和第二沟槽，设置在所述半导体基板的所述第一表面中；以及/n第一凹入结构和第二凹入结构，设置在所述第一沟槽和所述第二沟槽之间，并在所述半导体基板的所述第一表面中，所述第一凹入结构和所述第二凹入结构的深度比所述第一沟槽和所述第二沟槽的深度浅，/n其中，所述半导体基板的第一平坦部设置在所述第一沟槽和所述第一凹入结构之间，/n其中，所述半导体基板的第二平坦部设置在所述第二沟槽和所述第二凹入结构之间，且/n其中，所述半导体基板的第三平坦部设置在所述第一凹入结构和所述第二凹入结构之间，所述第三平坦部在剖视图上与所述第一平坦部和所述第二平坦部平行。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
