[发明专利]一种基于转印技术的平面隧穿场效应晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201910974288.5 | 申请日： | 2019-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN110828312A | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 吕红亮;李苗;朱翊;吕智军;芦宾;张玉明 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/739 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于转印技术的平面隧穿场效应晶体管及其制备方法，该制备方法包括步骤：在第一衬底(101)的一端制备漏区(104)，在所述第一衬底(101)的另一端制备源区(105)；利用外延层转印技术在所述第一衬底(101)上制备InGaAs沟道层(108)，使所述InGaAs沟道层(108)覆盖所述漏区(104)并且与所述源区(105)部分交叠；在所述InGaAs沟道层(108)上生长栅氧化层(109)。该制备方法将外延层转印技术制备InGaAs沟道层与器件的结构相结合，形成的隧穿场效应晶体管为平面结构，有利于实现器件对准、电极隔离和器件互联，有利于实现高性能的异质集成系统。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 技术 平面 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
