[发明专利]杂化等离激元手性增强装置及系统有效
| 申请号： | 201910974850.4 | 申请日： | 2019-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN110687623B | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 王勇凯;董军;王忠玉;王琦璟;王倩颖 | 申请（专利权）人： | 西安邮电大学 |
| 主分类号： | G02B5/00 | 分类号： | G02B5/00;G01J3/28 |
| 代理公司： | 重庆萃智邦成专利代理事务所(普通合伙) 50231 | 代理人： | 舒梦来 |
| 地址： | 710121 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及杂化等离激元手性增强装置及系统，具体而言涉及光电器械领域。本申请将金属纳米结构层设置在金属基底上，金属基底与金属纳米结构层之间填充有介质层。在金属纳米结构层的上下表面附近至少一个位置设置有石墨烯层。通过金属纳米结构层中的“h”形金属纳米结构和石墨烯层之间产生的局域表面等离激元共振杂化，使得设置在金属纳米结构层附近的石墨烯层的热损耗和表面电流增强，进而提高了入射光和手性微纳米装置之间的相互作用，增强了金属纳米结构层的光学手性。 | ||
| 搜索关键词： | 离激元 手性 增强 装置 系统 | ||
【主权项】：
1.一种杂化等离激元手性增强装置，其特征在于，所述杂化等离激元手性增强装置包括：金属纳米结构层、金属基底、介质层和石墨烯层；/n所述金属纳米结构层包括多个“h”形金属纳米结构，所述金属纳米结构层设置在所述金属基底上，所述金属基底与所述金属纳米结构层之间填充有所述介质层，所述金属纳米结构层靠近所述介质层的位置或者远离所述介质层的位置中至少一个位置设置有所述石墨烯层。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安邮电大学，未经西安邮电大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910974850.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
