[发明专利]一种纳米晶氧化硅薄膜及其制备的类光刻胶氧化硅材料

摘要

本发明属于微电子和太阳能电池技术领域，涉及一种类光刻胶氧化硅材料及其制备方法。所述类光刻胶氧化硅材料包括衬底和纳米晶氧化硅薄膜nc‑SiOx，纳米晶氧化硅薄膜为双层结构，包括高溶解性、低吸收率的第一层薄膜和高吸收率、低溶解性第二层薄膜，其中第一层薄膜的折射率n1大于第二层薄膜的折射率。类光刻胶氧化硅材料的制备方法包括准备衬底、沉积氧化硅双层薄膜、紫外激光烧蚀、去除nc‑SiOx。本发明的双层纳米晶氧化硅薄膜实现了在不减少溶解性的前提下增加了光刻胶薄膜的吸收率，同时采用射频等离子提增强化学气相沉积的方式涂覆薄膜，克服了光刻胶与高温和等离子体暴露不相容的缺陷，大大简化了制备工艺。

主权项

1.一种纳米晶氧化硅薄膜，其特征在于，所述纳米晶氧化硅薄膜为在氢化非晶氧化硅基质中嵌入硅纳米晶形成的多层薄膜，该多层薄膜至少包括L1层和L2层，所述L1层和L2层的折射率不同。/n