[发明专利]半导体元件的制作方法有效
| 申请号： | 201910978377.7 | 申请日： | 2019-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN112670245B | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 汪洁丽 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体元件的制作方法。该方法包括：在衬底基板上形成刻蚀停止层；在形成刻蚀停止层的衬底基板上形成多个第一条状图形；在形成第一条状图形的衬底基板上形成多个第二条状图形，其中第一条状图形与第二条状图形交叠；以第二条状图形为掩膜板，对第一条状图形进行刻蚀，并移除第二条状图形，形成多个节点接触区图案；在形成节点接触区图案的衬底基板上形成掩膜层，掩膜层的顶面与节点接触区图案500的顶面齐平，且覆盖节点接触区图案500之间的刻蚀停止层200；移除节点接触区图案，以掩膜层为掩膜板，对刻蚀停止层进行刻蚀，在刻蚀停止层中形成通孔，以实现小尺寸通孔的制作。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
