[发明专利]SiC基板、SiC外延晶片及其制造方法有效
| 申请号： | 201910978671.8 | 申请日： | 2019-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN111063730B | 公开（公告）日： | 2023-10-03 |
| 发明（设计）人： | 西原祯孝;龟井宏二 | 申请（专利权）人： | 株式会社力森诺科 |
| 主分类号： | H01L29/16 | 分类号： | H01L29/16;H01L21/02;H01L21/67;C30B29/36;C30B25/20 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 张轶楠;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
提供一种在SiC外延晶片的制造中难以破裂的SiC基板。本发明的SiC基板(1)具备：第1主面(1a)、配置于第1主面(1a)的相反侧的第2主面(1b)及连结于第1主面(1a)和第2主面(1b)的外周(1c)，存在于SiC基板的周端部(1A)的、由中空部和从该中空部延伸的位错线连结而成的复合缺陷的密度为0.01个/cm |
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| 搜索关键词： | sic 基板 外延 晶片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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