[发明专利]太阳能电池以及制造用于太阳能电池的膜层结构的方法在审
申请号: | 201910979704.0 | 申请日: | 2019-10-15 |
公开(公告)号: | CN112736144A | 公开(公告)日: | 2021-04-30 |
发明(设计)人: | 姜泽光;林纲正;陈刚 | 申请(专利权)人: | 浙江爱旭太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/068;H01L31/18 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 赵林琳;苏耿辉 |
地址: | 321000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本公开涉及包括太阳能电池以及制造用于太阳能电池的膜层结构的方法。该太阳能电池包括膜层结构,该膜层结构包括硅基体、第一氧化铝层、第一氮化硅层以及第一二氧化硅层。该硅基体包括与该太阳能电池的正表面邻近的第一表面、和与该太阳能电池的背电场邻近的第二表面。该第一氧化铝层与该硅基体邻接,并且设置在该硅基体的该第二表面。该第一氮化硅层,设置在该第一氧化铝层的与该背电场邻近的一侧。该第一二氧化硅层,设置在该第一氧化铝层和该第一氮化硅层之间、或者设置在该第一氮化硅层的与该背电场邻近的一侧。根据本公开的实施例,太阳能电池的背面可以具有良好的抗电势诱导衰减性能。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 以及 制造 用于 结构 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的