[发明专利]一种硅晶圆连续提取装置有效

专利信息
申请号: 201910980670.7 申请日: 2019-10-16
公开(公告)号: CN110797294B 公开(公告)日: 2022-02-18
发明(设计)人: 钱波 申请(专利权)人: 苏师大半导体材料与设备研究院(邳州)有限公司
主分类号: H01L21/683 分类号: H01L21/683
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 221300 江苏省徐州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及硅晶圆加工领域,具体涉及一种硅晶圆连续提取装置,包括有吸附提取组件包括真空分配器和吸附载盘,真空分配器的输出轴连接有吸附载盘,角度调节组件包括角度调节器和安装座,真空分配器的侧部设有支撑架,支撑架上安装有角度调节器,支撑架上设有安装架,安装座的一端与安装架铰接,安装座的另一端与角度调节器的输出轴铰接,安装座上安装有真空分配器,高度调节组件包括高度调节器,安装座上固定有高度调节器,高度调节器的输出轴传动连接有真空分配器,并带动真空分配器靠近或者远离安装架,本发明盘体的沟槽可供溢出的黏胶流入,以避免胶渗漏至硅晶圆与盘体之间而堵塞盘体的吸孔而造成吸附力下降,以防止硅晶圆因为吸附力不足导致晃动而破裂。
搜索关键词: 一种 硅晶圆 连续 提取 装置
【主权项】:
1.一种硅圆晶连续提取装置,其特征在于,包括有吸附提取组件(1),真空吸附提取硅圆晶,包括真空分配器(1a)和吸附载盘(1b),真空分配器(1a)的输出轴连接有吸附载盘(1b),吸附载盘(1b)用于于吸附硅晶圆,吸附载盘(1b)包括盘体(1b1)以及多个吸孔(1b9),盘体(1b1)包括相反的底面(1b2)与顶面(1b3)、自底面(1b2)的周缘延伸至顶面(1b3)的周缘的围绕面(1b4)、凹陷形成在围绕面(1b4)一侧的沟槽(1b5),沟槽(1b5)延伸至顶面(1b3)以在顶面形成一缺口(1b6),顶面(1b3)供硅晶圆放置,且沟槽(1b5)的缺口被硅晶圆覆盖而使硅晶圆的部分侧缘邻近沟槽(1b5),吸孔(1b9)贯穿盘体(1b1)的底面(1b2)与顶面(1b3);/n角度调节组件(2),设置在吸附提取组件(1)的侧部,用于调节吸附提取组件(1)的角度,以适应硅晶圆的端部,包括角度调节器(2a)和安装座(2b),真空分配器(1a)的侧部设有支撑架(2c),支撑架(2c)上安装有角度调节器(2a),支撑架(2c)上设有安装架(2d),安装座(2b)的一端与安装架(2d)铰接,安装座(2b)的另一端与角度调节器(2a)的输出轴铰接,安装座(2b)上安装有真空分配器(1a),真空分配器(1a)设置在安装座(2b)远离安装架(2d)的一端,吸附载盘(1b)延伸出安装座(2b)端部外;/n高度调节组件(3),设置在吸附提取组件(1)的侧部并固定在角度调节组件(2)上,用于调节吸附提取组件(1)的高度,以适应硅晶圆的端部,包括高度调节器(3a),安装座(2b)上固定有高度调节器(3a),高度调节器(3a)的输出轴传动连接有真空分配器(1a),并带动真空分配器(1a)靠近或者远离安装架(2d)。/n
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