[发明专利]片内参考电流产生电路在审
| 申请号： | 201910981700.6 | 申请日： | 2019-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN112667022A | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 季汝敏;应战 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | G05F3/26 | 分类号： | G05F3/26 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;高翠花 |
| 地址： | 230001 安徽省合肥市蜀山*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种片内参考电流产生电路，用以供应至少一参考电流给至少一负载，所述片内参考电流产生电路包括：晶体管；运算放大单元，其正输入端输入一参考电压，负输入端耦接所述晶体管的源极，输出端耦接所述晶体管的栅极；第一下拉电阻单元，耦接于所述晶体管的源极与接地之间，所述第一下拉电阻单元为经过ZQ校准电路校准的电阻单元；电流镜单元，耦接于所述晶体管的漏极与电源电压之间，用于将产生的电流输出供所述负载使用。本发明的优点在于，片内参考电流产生电路能够提供稳定的参考电流。 | ||
| 搜索关键词： | 参考 电流 产生 电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司，未经长鑫存储技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910981700.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
