[发明专利]半导体封装方法、半导体封装结构及封装体在审

专利信息
申请号: 201910982067.2 申请日: 2019-10-16
公开(公告)号: CN112670274A 公开(公告)日: 2021-04-16
发明(设计)人: 刘杰;应战 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07;H01L23/31;H01L23/498;H01L25/00
代理公司: 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 代理人: 孙佳胤;高翠花
地址: 230001 安徽省合肥市蜀山*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明提供一种半导体封装方法、半导体封装结构及封装体,所述封装方法包括如下步骤:提供衬底晶圆,衬底晶圆具有相对设置的第一表面及第二表面,在第一表面具有多个凹槽,在凹槽底部具有多个导电柱,导电柱贯穿凹槽底部至第二表面;提供多个半导体裸片堆叠体;将半导体裸片堆叠体置于凹槽中,半导体裸片堆叠体的上表面低于或者平齐于凹槽的上边缘,半导体裸片堆叠体的底部与导电柱电连接;在半导体裸片堆叠体上表面覆盖绝缘材料,形成绝缘介质层,且绝缘介质层填充凹槽的侧壁与半导体裸片堆叠体之间的间隙的上部,以密封半导体裸片堆叠体,形成半导体封装结构。本发明的优点在于,形成的半导体封装结构封装高度低、稳固性高、可靠性高及翘曲度低。
搜索关键词: 半导体 封装 方法 结构
【主权项】:
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