[发明专利]腔室压力平衡方法、装置、系统及半导体加工设备在审
| 申请号： | 201910982087.X | 申请日： | 2019-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN110610881A | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 王松涛 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 11112 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种腔室压力平衡方法、装置、系统及半导体加工设备，该压力平衡方法包括：根据当前工艺任务，对第一目标腔室进行抽气或充气；判断所述第一目标腔室与第二目标腔室之间的压力差值是否在第一预设范围内；若判断结果为是，则停止对第一目标腔室进行抽气或充气，并且打开可控制所述第一目标腔室与第二目标腔室之间气路通断的第一压力平衡阀；判断所述第一目标腔室与第二目标腔室在指定时间内的压力值是否均达到各自预设的容差允许范围内；若判断结果为是，则关闭所述第一压力平衡阀。通过本发明，有效解决了过渡腔内外两侧的压力平衡实现困难的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 目标腔室 压力平衡 压力平衡阀 判断结果 抽气 预设 充气 半导体加工设备 有效解决 过渡腔 可控制 种腔室 气路 容差 通断 | ||
【主权项】：
1.一种腔室压力平衡方法，其特征在于，包括以下步骤：/n根据当前工艺任务，对第一目标腔室进行抽气或充气；/n判断所述第一目标腔室与第二目标腔室之间的压力差值是否在第一预设范围内；若判断结果为是，则停止对第一目标腔室进行抽气或充气，并且打开可控制所述第一目标腔室与第二目标腔室之间气路通断的第一压力平衡阀；/n判断所述第一目标腔室与第二目标腔室在指定时间内的压力值是否均达到各自预设的容差允许范围内；若判断结果为是，则关闭所述第一压力平衡阀。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
