[发明专利]一种无电学接触的全彩化μLED微显示器件及其制造方法有效
申请号: | 201910982320.4 | 申请日: | 2019-10-16 |
公开(公告)号: | CN110676282B | 公开(公告)日: | 2022-07-05 |
发明(设计)人: | 张永爱;陈诗瑶;郭太良;周雄图;吴朝兴;林志贤;孙磊;严群 | 申请(专利权)人: | 福州大学 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/00;H01L33/50;H01L33/42;G09G3/32;G09F9/33 |
代理公司: | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人: | 陈明鑫;蔡学俊 |
地址: | 350108 福建省福州市*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种无电学接触的全彩化μLED微显示器件及其制造方法。包括设置于透明下基板表面的反射层、下驱动电极,设置于透明上基板表面的扩散层、上驱动电极,设置于上、下驱动电极之间的蓝光μLED晶粒和波长下转换发光层,以及控制模块和彩色滤光膜;上、下驱动电极和所述蓝光μLED晶粒无电学接触,控制模块与上、下驱动电极电学连接,所述控制模块提供交变驱动信号控制μLED晶粒激发出第一光源,经波长下转换发光层转化为第二光源,第一、第二光源经反射层和扩散层后,经彩色滤光膜实现全彩化μLED微显示。本发明可有效地避免全彩μLED器件中三基色μLED芯片复杂制作工艺,及发光芯片与驱动芯片复杂Bonding和巨量转移工艺,缩短μLED显示制作周期,降低制作成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 电学 接触 全彩 led 显示 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种无电学接触的全彩化μLED微显示器件,包括:透明下基板、透明上基板、蓝光μLED晶粒、波长下转换发光层、控制模块、连接所述透明上基板和透明下基板的封框体、设置于透明上基板的排气口、设置于透明上基板的彩色滤光膜、设置于透明下基板表面的反射层、设置于透明上基板表面的扩散层、设置于透明上基板上方的下驱动电极、设置于透明上基板下方的上驱动电极,其特征在于,/n所述上驱动电极与下驱动电极分别设置于所述蓝光μLED晶粒两侧,所述上驱动电极、下驱动电极与所述蓝光μLED晶粒之间设置所述波长下转换发光层;所述上驱动电极、下驱动电极与所述蓝光μLED晶粒之间无直接的电学接触,形成一个独立的空间;所述控制模块分别与所述上驱动电极、所述下驱动电极电学连接,所述控制模块为所述上、下驱动电极提供交变驱动信号,并在所述上驱动电极与所述下驱动电极之间形成的驱动电场,所述驱动电场控制所述μLED晶粒的电子和空穴复合并发出第一光源,所述第一光源经所述波长下转换发光层而转化为第二光源,所述第一光源经所述反射层后与所述第二光源由所述扩散层后混合成均匀的第三光源;所述第三光源经彩色滤光膜实现全彩化μLED微显示。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的