[发明专利]伪晶圆清洗平台、半导体设备及半导体工艺方法在审
| 申请号： | 201910983470.7 | 申请日： | 2019-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN112670203A | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 胡立元 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/683;H01L21/687 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 李鑫 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种伪晶圆清洗平台、半导体设备及半导体工艺方法，包括：旋转平台；第一伪晶圆吸附装置，设置于旋转平台的中心处；第二伪晶圆吸附装置，设置于旋转平台的上表面；第二伪晶圆吸附装置的顶部与旋转平台的上表面的距离小于第一伪晶圆吸附装置的顶部与旋转平台的上表面的最大距离，且大于第一伪晶圆吸附装置的顶部与旋转平台的上表面的最小距离；清洗喷嘴，设置于旋转平台的上表面，清洗喷嘴的顶部与旋转平台的上表面的距离小于第二伪晶圆吸附装置的顶部与旋转平台的上表面的距离。晶圆清洗平台可以对伪晶圆的背面进行清洗，减少对半导体设备中的晶圆吸盘的污染，提高产品良率，提高生产效率，延长晶圆吸盘的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 伪晶圆 清洗 平台 半导体设备 半导体 工艺 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司，未经长鑫存储技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910983470.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
