[发明专利]一种基于纳米线的μLED显示设计方法有效
| 申请号： | 201910984749.7 | 申请日： | 2019-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN110676283B | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 郭太良;江宗钊;叶芸;严群;谢洪兴;姚剑敏 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L29/06;G09G3/32 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 钱莉;蔡学俊 |
| 地址： | 350108 福建省福州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种基于纳米线的μLED显示设计方法，首先在衬底上生长能够产生红、绿、蓝三基色的不同纳米线材料，然后将不同纳米线材料分别溶于绝缘的光固化胶后分别栅格池的不同栅格中，并进行固化，最后在栅格池的上、下表面设置电极。本发明能够简化结构，提升μLED的产业效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 纳米 led 显示 设计 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于纳米线的μLED显示设计方法，其特征在于，在衬底上生长能够产生红、绿、蓝三基色的不同纳米线材料，将不同纳米线材料分别溶于绝缘的光固化胶后分别栅格池的不同栅格中，并进行固化，最后在栅格池的上、下表面设置电极。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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