[发明专利]一种氮化镓功率器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201910984806.1 | 申请日： | 2019-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN112670339A | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 陈道坤;史波;曾丹;敖利波 | 申请（专利权）人： | 珠海格力电器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/45;H01L29/47;H01L29/20 |
| 代理公司： | 北京华夏泰和知识产权代理有限公司 11662 | 代理人： | 郭金鑫 |
| 地址： | 519070*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓功率器件及其制造方法；氮化镓功率器件包括由下至上依次连接的衬底层、缓冲层、沟道层、势垒层、p型氮化镓块层和栅金属块层；所述栅金属块层包括相连接的第一栅金属层和第二栅金属层；所述第一栅金属层与所述p型氮化镓块层欧姆接触，所述第二栅金属层与所述p型氮化镓块层肖特基接触。本发明的氮化镓功率器件及其制造方法采用欧姆栅和肖特基栅混合金属栅极结构，结合二者各自的优势，提高器件阈值电压，降低栅极漏电，同时增强器件输出电流能力，避免了HEMT器件出现误开通问题，提高了器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 功率 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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