[发明专利]一种化合物薄膜及其制备方法、化合物薄膜太阳电池有效
| 申请号： | 201910985878.8 | 申请日： | 2019-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN110676351B | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 洪瑞江;张林泉;曾龙龙;曾淳泓;梁云锋;周建;黄培年 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0392;H01L31/0445 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 张伟 |
| 地址： | 510000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种化合物薄膜及其制备方法、化合物薄膜太阳电池，涉及电池技术领域。该化合物薄膜通过将掺有Bi的吸收层前驱体在低温条件下进行退火处理后制备得到。该化合物薄膜通过VA元素Bi的掺杂，使得在退火过程中，掺杂的Bi元素会通过反应生成低熔点化合物并作为助熔剂来促进吸收层薄膜结晶，减少薄膜中的缺陷和复合中心，从而可提高膜层质量，进而可提高相应的电池器件性能，继而有效地解决低温制备条件下生长高质量化合物薄膜电池吸收层的问题，为促进柔性PI衬底化合物薄膜太阳电池的工业化发展提供了更多可能的途径。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 化合物 薄膜 及其 制备 方法 太阳电池 | ||
【主权项】：
1.一种化合物薄膜的制备方法，其特征在于，包括：/n将掺有Bi的吸收层前驱体在低温条件下进行退火处理。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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